Samsung anuncia modulo de memória DDR5 com 512GB

A Samsung é actualmente uma das maiores fabricantes mundiais de chips de memória, e agora a sul-coreana demonstrou mais uma vez porque está na liderança tecnológica nesse sector, ao anunciar um módulo DDR5 com 512GB de RAM.

Se isso por si não fosse suficientemente interessante, este módulo pode subir até à frequência de 7200 MHz, o que o tornaria muito mais eficiente do que as melhores soluções em DDR4.

Mas como é que a Samsung conseguiu encaixar 512 GB num módulo tão compacto? A explicação é bastante técnica: 8 matrizes de DD5 foram empilhadas e interconectadas em TSV (through-silicon-via). 8 matrizes empilhadas é simplesmente inédito em termos de integração de componentes: o recorde antigo era de 4 matrizes empilhadas para um módulo DDR4. Apesar deste empilhamento massivo, o módulo tem apenas 1 mm de espessura, contra 1,2 mm do DDR4, um "feito" devido a um novo sistema de wafers que permite reduzir em 40% o espaço entre cada matriz.

Nova memoria DDR5 com 512GB anunciada pela Samsung

Como se não bastasse, a Samsung embelezou o seu módulo com tecnologias inovadoras, como o SBR (Same-Bank Refresh), que permite obter um barramento DRAM 10% mais rápido. Como podemos imaginar, no entanto, este módulo DDR5 de 512GB é destinado principalmente a servidores em datacenters e algo do género. Espera-se que o DDR5 com 512GB da Samsung chegue ao mercado em 2023, ou o mais tardar em 2024.

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