Samsung anuncia o primeiro módulo de memória RAM DDR5 de 512GB
27 Março, 2021A Samsung anunciou aquele que é o primeiro módulo de memória DDR5 de 512GB da indústria que utiliza a tecnologia de silício via (TSV). Com a ajuda da abordagem TSV - que é útil para interligar chips de silício empilhados em 3D -, a Samsung revelou que conseguiu empilhar oito camadas de chips DRAM de 16Gb para oferecer até 512GB de capacidade num único módulo.
Em termos de velocidade, a empresa fala em velocidades em torno dos 7200 Mbps. Essa memória de alta capacidade foi projectada para cargas de trabalho de computação intensivas, incluindo supercomputação, processamento de AI / ML e análise de dados.
Para garantir a eficiência energética, a empresa utilizou a tecnologia High-K Metal Gate (HKMG). Com a sua ajuda, a Samsung foi capaz de reduzir significativamente a corrente de perca que surgiria como resultado do estreitamento contínuo da camada de isolamento conforme os designs de DRAM se tornassem menores e mais finos. Como resultado da redução dessa perca, a corrente operacional necessária também é reduzida, tornando a nova memória muito eficiente em termos de energia. Na verdade, a empresa afirma que a sua nova DRAM consome 13% menos energia em comparação com designs não HKMG.
Samsung anuncia a sua primeira memoria de 512GB DDR5
Embora a tecnologia HKMG geralmente seja usada em semicondutores baseados em lógica, como processadores, a Samsung também fez uso da tecnologia in-memory quando a aplicou anteriormente no seu chip GDDR6 projectado em 2018, e agora também incorporou HKMG na sua filosofia de design DDR5.
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Joel Pinto
Fundador do Noticias e Tecnologia, e este foi o seu segundo projeto online, depois de vários anos ligado a um portal voltado para o sistema Android, onde também foi um dos seus fundadores.
